FIZIKA A 18 (2009) 2 , 53-62

Résumé. Ce travail porte sur l'étude d'un système de matériaux promoteurs à base de GaAs-Al_xGa_1-xAs sur substrat de GaAs, en vue de la réalisation de laser émettant dans un large domaine d'infrarouge (9 à 90 mm). L'effet de la concentration << x >> en aluminium associé à la largeur << a >> du puits de potentiel est étudié afin de voir son impact direct sur les longueurs d'ondes laser obtenues. Nous avons montré à partir des mesures de la transmission, que l'introduction d'un désordre structural (préservation de la périodicité du système) par doublet ou triplet au sein de notre superréseau procure des états électroniques délocalisés caractérisés par une probabilité de transmission égale à 1, signifiant que l'état correspondant est résonant.

Abstract. This study focuses on optically active system GaAs-Al_xGa_1-xAs based on the GaAs substrate, with the aim to achieve lasers emitting in a wide range of infrared (9 to 90 mm). The effect of aluminium concentration "x" and the potential well width "a" is studied to see their direct effects on the laser wavelength. We show from measurements of transmission that the introduction of a structural disorder (preserving the system periodicity) by doublet or triplet within our superlattices provides delocalised electronic states characterized by a probability of transmission equal to 1, meaning that the corresponding state is resonant.

PACS numbers: 85.30.Vw, 61.72.Ji
UDC 538.915

Mots clés : superréseaux (SR), coefficient de transmission, désordre structural, longueur d'onde laser, infrarouge (IR)
Keywords : superlattices (SL), transmission coefficient, structural disorder, laser wave lenght, infrared (IR)

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